參考圖表

功率計響應波長(cháng)依賴(lài)性 

長(cháng)波長(cháng)響應度：Ge探頭對比InGaAs

?上圖顯示了帶有Ge和InGaAs探測器的功率計在波長(cháng)變化超過(guò)1500 nm時(shí)的室溫響應。

?Ge測量?jì)x不適用于1550 nm以上的CWDM和DWDM系統，InGaAs測量?jì)x顯然是更好的選擇，因為它非常穩定。此圖使用真實(shí)的測量數據。

Ge探頭在1580nm時(shí)高溫情況下的響應漂移

?上圖顯示了帶有Ge探測器的功率計的1580 nm熱響應如何隨溫度變化。

?這種不穩定性使得Ge功率計基本上不適合在1550 nm以上的CWDM和DWDM系統上進(jìn)行現場(chǎng)工作。

?1550 nm以下的熱穩定性要好得多，約為0.2 dB，但它永遠不如InGaAs。此圖使用真實(shí)的測量數據。